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晶体管
DMG4800LFG-7参考图片

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DMG4800LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A
  • 数据手册下载
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库存:27,538(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN3030-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.44 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
9.47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
940 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMG4800
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.33 ns
典型接通延迟时间
5.03 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:38284
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
5,000:¥3.4917
10,000:查看
参考库存:48786
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
1:¥50.4884
10:¥45.6407
25:¥43.4937
100:¥37.7307
参考库存:26613
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4490DY-TR
1:¥15.2098
10:¥12.5995
2,500:¥12.5995
参考库存:43665
晶体管
MOSFET 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -2.3A
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
2,500:¥1.6159
参考库存:31392
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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