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晶体管

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FS10R12VT3

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库存:5,196(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥160.1323
160.1323
10
¥147.2277
1472.277
25
¥141.1596
3528.99
100
¥124.3226
12432.26
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
封装 / 箱体
EASY750
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
35.6 mm
宽度
25.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
40
子类别
IGBTs
零件号别名
FS10R12VT3BOMA1 SP000100305
单位重量
10 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat transistor
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:87802
晶体管
JFET N-Channel Switch
1:¥2.6894
10:¥2.0792
100:¥1.13
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
9,000:¥0.68365
参考库存:45689
晶体管
达林顿晶体管 Darl Transistor Arrays
1:¥5.537
10:¥4.6104
100:¥2.9832
1,000:¥2.3843
参考库存:12356
晶体管
MOSFET PCH 80MA 100V SOT-23
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:18268
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:18410
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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