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晶体管

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APT27GA90BD15

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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库存:2,761(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥58.0142
58.0142
10
¥52.1721
521.721
25
¥47.5617
1189.0425
100
¥42.8722
4287.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
223 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
48 A
高度
4.69 mm
长度
20.8 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
15.49 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
48 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Pch -100V Vdss -13A TO-252(DPAK); TO-252
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.0682
500:¥7.119
1,000:¥5.8986
2,500:¥5.4918
参考库存:26916
晶体管
MOSFET 25V Dual Control FET in S- Can
1:¥13.673
10:¥11.6051
100:¥9.2999
500:¥8.0682
4,800:¥6.0455
9,600:查看
参考库存:24948
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 3A 100V
1:¥6.4523
10:¥5.3223
100:¥3.4239
700:¥2.7459
2,100:¥2.3165
参考库存:8550
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:320192
晶体管
MOSFET N-Ch Power Mosfet 600V STripFET D2PAK
1:¥54.7824
10:¥49.5618
25:¥47.2566
100:¥41.0303
1,000:¥31.1202
2,000:查看
参考库存:2579
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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