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晶体管
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APT200GN60J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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数量单价合计
1
¥257.3349
257.3349
5
¥245.8089
1229.0445
10
¥238.1249
2381.249
25
¥218.768
5469.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
283 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
682 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS7672AS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET
1:¥7.7631
10:¥6.5653
100:¥5.0398
500:¥4.4522
1,000:¥3.5143
3,000:¥3.5143
参考库存:13547
APT47N60SC3G
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
1:¥111.7231
10:¥101.587
25:¥93.903
50:¥88.8293
参考库存:3499
BCV62B,235
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MATCHED PAIR
1:¥3.9211
10:¥3.2205
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
10,000:¥1.2091
20,000:查看
参考库存:33216
ARF1505
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,510.0642
2:¥1,473.7121
5:¥1,452.1178
10:¥1,431.5292
参考库存:3348
2N6294
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power Transistor Darlington
1:¥99.3496
10:¥98.3552
25:¥91.0554
100:¥83.6765
参考库存:3645

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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