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晶体管
APT200GN60J参考图片

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APT200GN60J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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库存:2,588(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥257.3349
257.3349
5
¥245.8089
1229.0445
10
¥238.1249
2381.249
25
¥218.768
5469.2
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
283 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
682 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
1,500:¥2.3956
参考库存:14809
晶体管
MOSFET MOSFET; -80V P-Chan PowerTrench
1:¥5.2206
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
3,000:¥1.9097
参考库存:3531
晶体管
MOSFET 100V Sym Dual NCh MOSFET PowerTrench
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
3,000:¥10.6785
参考库存:15438
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥7.5258
10:¥6.441
100:¥4.9494
500:¥4.3731
5,000:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:26190
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:115267
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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