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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTA143
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
发射极 - 基极电压 VEBO	- 0.3 V
高度	1 mm
长度	3.05 mm
类型	PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount Transistor
宽度	1.4 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JAN2N3902	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥445.5929	参考库存:53530
2N4233	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥298.2183 2:¥290.1501 5:¥282.0819 10:¥274.0137	参考库存:53535
ES6U41T2R	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET ULTRA-LOW OHMIC RESISTOR; 3/4W; PMR18(1206) PKG	1:¥3.0736 10:¥2.4973 100:¥1.5255 1,000:¥1.1865 8,000:¥0.9379 24,000:查看	参考库存:53540
APTGT400SK120G	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 Power Module - IGBT	1:¥1,285.9174 5:¥1,254.2548 10:¥1,224.0612 25:¥1,179.5731	参考库存:53545
BC848AW RFG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW	1:¥1.921 10:¥1.7628 100:¥1.1639 1,000:¥0.39211 3,000:¥0.32318	参考库存:53550