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晶体管
STP27N60M2-EP参考图片

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STP27N60M2-EP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
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库存:1,819(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.2618
38.2618
10
¥32.4988
324.988
100
¥28.2048
2820.48
250
¥26.7358
6683.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
163 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP27N60M2-EP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55.6 ns
典型接通延迟时间
13.4 ns
单位重量
2.240 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:40358
晶体管
MOSFET 100V Vds 86A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥12.5995
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥6.8139
2,000:¥5.0285
4,000:查看
参考库存:7895
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.2207
10:¥6.1698
100:¥4.746
500:¥4.1923
1,000:¥3.2996
参考库存:8292
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥13.9103
500:¥12.2153
1,000:¥10.0683
5,000:¥10.0683
参考库存:55794
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
3,000:¥4.6104
参考库存:78496
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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