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晶体管
DMS3014SFG-7参考图片

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DMS3014SFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥3.2318
32.318
100
¥1.9662
196.62
1,000
¥1.5255
1525.5
2,000
¥1.2995
2599
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
45.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DIOFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMS30
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24.4 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33.1 ns
典型接通延迟时间
5.5 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTC123YCA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:30063
SI4100DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
2,500:¥5.5596
参考库存:102340
MMBTA05-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 300mW
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:121587
STGF19NC60HD
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.7632
参考库存:4019
STGF3NC120HD
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch 1200 Volt 3 Amp
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
参考库存:11366

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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