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晶体管
DMC3028LSDX-13参考图片

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DMC3028LSDX-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V Dual FET 28mOHm 10V VGS 7.1A
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库存:15,072(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6951
36.951
100
¥2.3843
238.43
1,000
¥1.9097
1909.7
2,500
¥1.9097
4774.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.5 A, 5.8 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms, 21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13.2 nC, 22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMC3028
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
12 S, 18.6 S
下降时间
5.3 ns, 40.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns, 17.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.3 ns, 60.5 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns, 9.7 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 12A 150W
120:¥71.1561
260:¥64.8507
参考库存:48642
晶体管
JFET Dual N-Ch JFET -60V 400mW 750mW
65:¥110.8078
100:¥101.9712
250:¥92.9764
500:¥86.9083
参考库存:48647
晶体管
MOSFET 60V 12A 24W 36mohm @ 10V
2,500:¥2.9041
5,000:¥2.7685
10,000:¥2.6555
25,000:¥2.5764
参考库存:48652
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM-nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.1723
25:¥53.562
100:¥46.4882
参考库存:7747
晶体管
IGBT 模块 1700V 75A IGBT
100:¥592.0522
参考库存:48659
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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