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晶体管
MMBTA63LT1G参考图片

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MMBTA63LT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 500mA 30V PNP
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库存:287,506(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.6159
1.6159
10
¥1.4238
14.238
100
¥0.49946
49.946
1,000
¥0.32996
329.96
3,000
¥0.25312
759.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
Pd-功率耗散
225 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBTA63L
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
5000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
1,000:¥5.085
5,000:¥5.085
参考库存:27407
晶体管
JFET JFET P-Channel 30V 50mA 360mW 3.27mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:42751
晶体管
MOSFET 30V N-CH MOSFET
3,000:¥1.11418
参考库存:42756
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
1:¥25.7414
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
参考库存:42761
晶体管
JFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 650mW 3.3mW
1:¥175.5003
10:¥149.2278
100:¥138.6171
250:¥127.1702
参考库存:2429
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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