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晶体管
APT15GT120BRDQ1G参考图片

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APT15GT120BRDQ1G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
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库存:4,429(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.8614
52.8614
10
¥42.488
424.88
25
¥41.7196
1042.99
100
¥38.7251
3872.51
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
36 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
36 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
36 A
栅极—射极漏泄电流
480 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A
1:¥1,353.8417
5:¥1,321.2638
10:¥1,288.4486
25:¥1,270.3912
参考库存:4241
晶体管
MOSFET BUK966R5-60E/D2PAK/REEL 13" Q1
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9495
800:¥5.4918
参考库存:28173
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
参考库存:39075
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:27402
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -60V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:16682
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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