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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	100 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	82
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTC115EM
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	82
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
宽度	0.8 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	DTC115EM

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPG20N04S4L07AATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8	1:¥13.673 10:¥11.6051 100:¥9.2999 500:¥8.1473 5,000:¥6.0681 10,000:查看	参考库存:42189
DMHC4035LSDQ-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V	1:¥8.0682 10:¥6.8817 100:¥5.2997 500:¥4.6782 1,000:¥3.6838 2,500:¥3.6838	参考库存:14352
STFU28N65M2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package	1:¥29.5043 10:¥25.0521 100:¥21.7412 250:¥20.5886	参考库存:42196
FGH40T120SMD-F155	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT	1:¥53.2456 10:¥48.1041 25:¥45.878 100:¥39.7986	参考库存:3919
MT3S113P(TE12L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W	1:¥7.6049 10:¥6.0681 100:¥4.6669 500:¥4.1132 1,000:¥3.2544	参考库存:42203