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晶体管
MMBTA13LT3G参考图片

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MMBTA13LT3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 SS DL XSTR NPN 30V
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库存:151,600(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.5368
1.5368
10
¥1.3673
13.673
100
¥0.48364
48.364
1,000
¥0.32318
323.18
10,000
¥0.2147
2147
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
最大直流电集电极电流
0.3 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
Pd-功率耗散
225 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23 (Pb-Free)
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBTA13L
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
300 mAdc
直流集电极/Base Gain hfe Min
5000, 10000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
1:¥9.4468
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
参考库存:3199
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.1357
100:¥1.1413
500:¥0.95259
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:7546
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥353.464
10:¥306.9758
25:¥288.5342
50:¥267.7874
100:¥253.8771
参考库存:2603
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
4,800:¥6.5992
9,600:查看
参考库存:19765
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:24277
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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