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晶体管
NSB1706DMW5T1G参考图片

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NSB1706DMW5T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
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库存:63,416(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.147
2.147
10
¥1.4916
14.916
100
¥0.62263
62.263
1,000
¥0.42262
422.62
3,000
¥0.32996
989.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual Common Emitter
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
0.1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88A/SOT-353
直流集电极/Base Gain hfe Min
80, 200
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
187 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSB1706DMW5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80
高度
1 mm
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
5,000:¥2.4973
10,000:¥2.4069
25,000:¥2.3052
参考库存:48391
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL
10,000:¥0.9831
20,000:¥0.90626
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:48396
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K1K
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.29154
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.25312
参考库存:48401
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
暂无价格
参考库存:48406
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
2,000:¥3.7629
10,000:¥3.616
24,000:¥3.503
参考库存:48411
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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