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晶体管
RCJ120N20TL参考图片

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RCJ120N20TL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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库存:8,767(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥6.9947
69.947
100
¥5.3675
536.75
500
¥4.746
2373
1,000
¥3.7516
3751.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
RCJ120N20
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
RCJ120N20
单位重量
2.200 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:51022
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W
5,000:¥2.4634
参考库存:133317
晶体管
MOSFET
3,000:¥3.8872
参考库存:51029
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
10,000:¥0.88366
参考库存:51034
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.5-2.7GHz 20Watt Gain 11.5dB
10:¥887.502
30:¥786.0732
50:¥710.0016
100:¥684.6444
参考库存:51039
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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