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晶体管
PBSS4021SPN,115参考图片

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PBSS4021SPN,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual +/-20V '+7.5A -6.3A 0.86W 115MHz
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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
185 mV, - 235 mV
最大直流电集电极电流
7.5 A, - 6.3 A
增益带宽产品fT
115 MHz, 105 MHz
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Nexperia
集电极连续电流
+ 7.5 A, - 6.3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
300
Pd-功率耗散
860 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 1700V 300A 3-PHASE
4:¥4,329.8549
8:¥4,068.904
参考库存:51351
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥76.0716
250:¥69.3142
500:¥64.8507
1,000:¥59.4719
参考库存:51356
晶体管
MOSFET N-Ch 60V FET 6.1A 2.2W 640pF
暂无价格
参考库存:51361
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
1:¥2,663.9637
参考库存:1834
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI
1:¥46.7142
10:¥39.7308
100:¥34.4198
250:¥32.657
参考库存:6631
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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