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晶体管
IRFHM8326TRPBF参考图片

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IRFHM8326TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY
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库存:23,729(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.955
39.55
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.8645
1864.5
4,000
¥1.5933
6373.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
19 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001570892
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥259.335
200:¥242.046
参考库存:51618
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,150.7581
参考库存:51623
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.7503
1,000:¥83.2132
参考库存:51628
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 20A 600V IGBT
1:¥160.1323
5:¥158.4486
10:¥147.691
25:¥141.0805
参考库存:2496
晶体管
MOSFET N-Ch, 40V-2.1ohms 160A
1:¥33.1203
10:¥28.1257
100:¥24.3628
250:¥23.1311
参考库存:6898
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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