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晶体管
BSZ018NE2LSI参考图片

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BSZ018NE2LSI

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
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库存:27,600(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
5,000
¥5.2432
26216
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
零件号别名
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ18NE2LSIXT SP000906032
单位重量
36.790 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC817-25/SN/SOT23/TO-236AB
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
参考库存:42081
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:42086
晶体管
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1189
500:¥4.52
1,500:¥3.164
9,000:查看
参考库存:279249
晶体管
射频(RF)双极晶体管 1-500MHz Gain Block NF=7.5dB Max. 50 Ohm
1:¥587.826
10:¥539.4168
25:¥484.092
50:¥428.7672
100:¥358.3004
参考库存:42093
晶体管
MOSFET
1:¥197.1737
5:¥191.3316
10:¥182.4159
25:¥170.5848
参考库存:2206
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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