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晶体管
FS75R12KT3G参考图片

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FS75R12KT3G

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库存:1,569(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥935.0637
935.0637
5
¥916.6221
4583.1105
10
¥873.8968
8738.968
25
¥855.5343
21388.3575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
455 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12KT3GBOSA1 SP000100438
单位重量
304.400 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.7685
10:¥1.9775
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
2,000:¥0.5989
参考库存:81589
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
参考库存:13926
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO WARP2 150KHZ COPACK IGBT
1:¥78.8401
10:¥71.2352
25:¥67.9243
100:¥59.0086
参考库存:6273
晶体管
IGBT 模块 SLIMM Nano 3A 600V 3-Phase IGBT Bridge
1:¥60.3194
10:¥54.4773
25:¥51.9461
100:¥45.1096
参考库存:6760
晶体管
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET (ST)
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.232
4,800:¥5.0624
9,600:查看
参考库存:28027
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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