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晶体管
APT100GN120J参考图片

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APT100GN120J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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库存:1,787(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥259.4932
259.4932
5
¥247.809
1239.045
10
¥240.0459
2400.459
25
¥220.6099
5515.2475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
153 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
446 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
600:¥148.5272
参考库存:44841
晶体管
MOSFET 40V 100A 157W AEC-Q101 Qualified
1:¥18.5998
10:¥15.4471
100:¥11.9893
500:¥10.4525
800:¥8.6784
参考库存:44846
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
500:¥26.8149
1,000:¥22.5887
2,500:¥21.5152
参考库存:44851
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:44856
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
3,000:¥2.1244
9,000:¥2.0453
24,000:¥1.9662
45,000:¥1.9323
参考库存:44861
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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