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晶体管
IGB15N60T参考图片

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IGB15N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
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库存:3,537(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.9782
15.9782
10
¥13.6052
136.052
100
¥10.8367
1083.67
500
¥9.5259
4762.95
1,000
¥7.8422
7842.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
26 A
Pd-功率耗散
130 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB15N60TATMA1 IGB15N6TXT SP000054921
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:34243
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥9.0626
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
2,500:¥4.972
参考库存:17125
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
1:¥26.9731
10:¥22.8938
100:¥19.8993
250:¥18.8258
参考库存:6522
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9834
1,000:¥5.5144
参考库存:13804
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET, SOP-8 package
1:¥5.1528
10:¥4.3731
100:¥3.277
500:¥2.4069
4,000:¥1.6498
8,000:查看
参考库存:20216
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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