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晶体管
STGYA120M65DF2参考图片

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STGYA120M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:5,276(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥80.6029
80.6029
10
¥74.1506
741.506
25
¥71.077
1776.925
100
¥62.6246
6262.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
Max247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGYA120M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
160 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
3,000:¥7.0625
6,000:查看
参考库存:19047
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥50.7935
10:¥45.9458
25:¥43.7988
100:¥38.0358
参考库存:6154
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 25V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:14206
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥159.2848
5:¥152.1432
10:¥147.3746
25:¥135.4644
参考库存:1828
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 40A TDSON-8
1:¥11.4469
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.8139
5,000:¥5.0624
10,000:查看
参考库存:47205
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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