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晶体管
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JANTX2N3506

  • Microsemi
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
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数量单价合计
1
¥212.5417
212.5417
5
¥201.8632
1009.316
10
¥196.6313
1966.313
25
¥180.6531
4516.3275
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
200
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLML6402GTRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl
暂无价格
参考库存:43780
APTGT200DH60G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥801.3621
参考库存:43785
2SA1943-O(Q)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 230V 15A
暂无价格
参考库存:11680
AUIRLR3705Z
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
3,000:¥7.4693
6,000:¥7.1868
9,000:¥6.9156
参考库存:43792
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
12:¥2,549.9354
36:¥2,510.747
参考库存:43797

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