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晶体管
IPB80P04P405ATMA1参考图片

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IPB80P04P405ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
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库存:7,544(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5205
14.5205
10
¥12.2944
122.944
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
1,000
¥7.1642
7164.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
151 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
xPB80P04
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
73 ns
典型接通延迟时间
42 ns
零件号别名
IPB80P04P4-05 IPB8P4P45XT SP000652618
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch FemtoFET MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.2261
100:¥1.2204
250:¥1.2204
1,000:¥0.91417
参考库存:60131
晶体管
MOSFET 200v Vds 78.5A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.142
参考库存:5688
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
参考库存:19075
晶体管
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
1,500:¥1.8419
参考库存:17532
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.221
500:¥11.526
3,000:¥8.9157
6,000:查看
参考库存:17699
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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