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晶体管
IPB090N06N3 G参考图片

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IPB090N06N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:8,938(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.7235
67.235
100
¥5.1641
516.41
500
¥4.5652
2282.6
1,000
¥3.6047
3604.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPB090N06N3GATMA1 IPB9N6N3GXT SP000398042
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
1:¥37.4256
10:¥31.8095
100:¥27.5833
250:¥26.2047
1,000:¥19.8202
2,000:查看
参考库存:5544
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4693
2,500:¥5.763
5,000:查看
参考库存:69486
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:32658
晶体管
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
1:¥5.3788
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7967
参考库存:72800
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:43090
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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