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晶体管
STP3N150参考图片

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STP3N150

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
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库存:5,488(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.172
50.172
10
¥42.6462
426.462
100
¥36.9623
3696.23
250
¥35.0413
8760.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.5 kV
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerMESH
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP3N150
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
61 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:17503
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:15840
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A
1:¥14.1363
10:¥12.0684
100:¥9.605
500:¥8.4524
参考库存:5392
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
1:¥3.7629
10:¥2.1809
100:¥1.02943
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.66105
参考库存:25214
晶体管
MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.0173
2,500:¥7.0173
参考库存:36731
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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