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晶体管
IKA15N60T参考图片

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IKA15N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 15A
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库存:4,418(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9839
16.9839
10
¥14.4414
144.414
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
1,000
¥8.3733
8373.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
18.3 A
Pd-功率耗散
35.7 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
15.95 mm
长度
10.36 mm
宽度
4.57 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKA15N60TXKSA1 IKA15N6TXK SP000215377
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
2,500:¥1.04525
10,000:¥0.97632
参考库存:51346
晶体管
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
1:¥4.1471
10:¥2.7572
100:¥1.5481
1,000:¥1.12209
3,000:¥0.96841
参考库存:16358
晶体管
MOSFET Dual P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 3.3 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 double island
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.1868
500:¥6.3506
3,000:¥4.4522
9,000:查看
参考库存:16255
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥1.8645
参考库存:16362
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
1:¥2.6894
10:¥1.7402
100:¥0.7458
1,000:¥0.5763
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:151104
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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