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FS50R06W1E3

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数量单价合计
1
¥278.7032
278.7032
5
¥275.7765
1378.8825
10
¥257.0298
2570.298
25
¥245.5038
6137.595
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS50R06W1E3BOMA1 SP000092043
单位重量
24 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUL1203EFP
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PWR BIP/S.SIGNAL
1,000:¥7.0286
2,000:¥6.5427
5,000:¥6.3054
10,000:¥6.0568
参考库存:55840
SSM3K15ACT(TPL3)
Toshiba
晶体管
MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
暂无价格
参考库存:55845
JANTXV2N6383
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
100:¥591.1256
参考库存:55850
2N3737UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥125.0232
250:¥114.8758
500:¥105.8132
参考库存:55855
QPD1019
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
18:¥4,072.52
参考库存:55860

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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