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晶体管
CSD85302LT参考图片

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CSD85302LT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V Dual N ch MOSFET
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库存:3,008(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.842
38.42
100
¥2.4634
246.34
250
¥2.4634
615.85
1,000
¥1.9662
1966.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
680 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.22 mm
长度
1.35 mm
系列
CSD85302L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.35 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
99 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
54 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
173 ns
典型接通延迟时间
37 ns
单位重量
1.200 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V NCh PowerTrench
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
1,000:¥7.5597
2,500:¥7.5597
参考库存:12227
晶体管
MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
1:¥15.4471
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
3,000:¥7.0625
6,000:查看
参考库存:18509
晶体管
MOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
1:¥12.5204
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2546
1,000:¥5.7291
2,500:¥5.7291
参考库存:4251
晶体管
IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1KA
1:¥11,753.9097
参考库存:4118
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 600A
1:¥972.6362
5:¥953.5053
10:¥909.0963
25:¥889.9654
参考库存:4170
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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