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晶体管
SIDR220DP-T1-GE3参考图片

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SIDR220DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8DC
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库存：31,423(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥17.8992
178.992
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.1362
6068.1
1,000
¥10.0683
10068.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8DC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
820 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
134 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SID
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
95 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
51 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC363EKT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 20V 600MA
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:49119
SCT30N120
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
1:¥206.0894
5:¥203.9311
10:¥190.0999
25:¥181.5684
参考库存:8542
DTB743EETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL NPN
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:49126
BCV48H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
达林顿晶体管 AF TRANSISTORS
1:¥3.2318
10:¥2.7233
100:¥1.6724
1,000:¥1.2882
2,000:¥1.09836
参考库存:49131
R5005CNJTL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH MOSFET, 10V
1,000:¥7.2433
2,000:¥6.7348
5,000:¥6.4975
10,000:¥6.2376
参考库存:49136

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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