SIHA180N60E-GE3原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220FP-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Id-连续漏极电流	19 A
Rds On-漏源导通电阻	180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	3 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	33 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	33 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
系列	E
晶体管类型	1 N-Channel E-Series Power MOSFET
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	5.3 S
下降时间	23 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	49 ns
工厂包装数量	1
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	22 ns
典型接通延迟时间	14 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ATP103-TL-H	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SWITCHING DEVICE	1:¥9.1417 10:¥7.8422 100:¥6.0342 500:¥5.3223 3,000:¥3.729 9,000:查看	参考库存:18984
AUIRF2804S-7P	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms	1:¥32.2728 10:¥27.4364 100:¥23.8204 250:¥22.5887	参考库存:9656
NST857BF3T5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SNGL PNP GP TRA SOT1123	1:¥3.5369 10:¥2.2487 100:¥0.96841 1,000:¥0.73789 8,000:¥0.49946 24,000:查看	参考库存:38478
FCH76N60NF	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS	1:¥100.8186 10:¥92.7504 25:¥88.9084 100:¥78.2977 250:¥74.4557	参考库存:6805
FDMC8296	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH	1:¥11.6051 10:¥9.831 100:¥7.6049 500:¥6.7235 3,000:¥4.7008 9,000:查看	参考库存:6992