APT150GN60LDQ4G原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：3,160(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	1.45 V
在25 C的连续集电极电流	220 A
栅极—射极漏泄电流	600 nA
Pd-功率耗散	536 W
封装 / 箱体	TO-264-3
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	Through Hole
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs
单位重量	10 g

商品其它信息

原装正品，最快4小时发货

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SCT3160KLGC11	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS	1:¥78.2186 10:¥70.6928 25:¥67.3932 100:¥58.4775 250:¥55.8672	参考库存:44671
QH8KA2TCR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET	1:¥4.8364 10:¥3.9776 100:¥2.5651 1,000:¥2.0566 3,000:¥1.7402	参考库存:18678
PSMN021-100YLX	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PSMN021-100YL/LFPAK/REEL 7" Q1	1:¥5.8421 10:¥4.8477 100:¥3.1301 1,000:¥2.5086 1,500:¥2.1131	参考库存:22810
VRF154FL	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥2,042.4863 2:¥1,993.3087 5:¥1,964.1095 10:¥1,936.368	参考库存:4594
SSM3K336R,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Small Signal Mosfet	1:¥3.7629 10:¥2.1809 100:¥1.02943 1,000:¥0.79891 3,000:¥0.66105	参考库存:45421