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晶体管
IPB80N08S2-07参考图片

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IPB80N08S2-07

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库存:8,081(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.4417
20.4417
10
¥17.3681
173.681
100
¥13.9103
1391.03
500
¥12.2153
6107.65
1,000
¥10.1474
10147.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
IPB80N08S207ATMA1 IPB8N8S27XT SP000219048
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A
1:¥9.4468
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
参考库存:3199
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.1357
100:¥1.1413
500:¥0.95259
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:7546
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥353.464
10:¥306.9758
25:¥288.5342
50:¥267.7874
100:¥253.8771
参考库存:2603
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
4,800:¥6.5992
9,600:查看
参考库存:19765
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:24277
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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