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IGW40N120H3

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52.4094
10
¥47.3357
473.357
25
¥45.1774
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100
¥39.1884
3918.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
483 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40N120H3FKSA1 IGW4N12H3XK SP000667510
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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25,000:¥2.4747
参考库存:27314

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