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晶体管
IKW30N65EL5XKSA1参考图片

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IKW30N65EL5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V IGBT Trenchstop 5
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库存:4,482(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.1829
42.1829
10
¥35.8888
358.888
100
¥31.1202
3112.02
250
¥29.5043
7376.075
500
¥26.4307
13215.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.05 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
227 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 L5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW30N65EL5 SP001178080
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.13786
参考库存:806223
晶体管
MOSFET -40V P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥8.2264
10:¥6.9495
100:¥5.3449
500:¥4.7234
1,000:¥3.729
2,500:¥3.729
参考库存:19705
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
参考库存:6312
晶体管
达林顿晶体管 PNP Si Transistor Darlington
1:¥5.8421
10:¥4.8251
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
2,000:¥2.486
参考库存:38484
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A IGBT
1:¥1,153.1424
5:¥1,130.4746
10:¥1,077.7601
参考库存:4231
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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