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晶体管
BUK9Y3R0-40E,115参考图片

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BUK9Y3R0-40E,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 40 V 3.0 mo FET
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库存：70,458(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.6161
561.61
500
¥4.9607
2480.35
1,500
¥3.4691
5203.65
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LFPAK56-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.47 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
Qg-栅极电荷
35.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
194 W
配置
Triple
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
44 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
24 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP062NE7N3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:7892
SIS444DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.9947
10:¥5.6274
100:¥4.2714
500:¥3.5369
3,000:¥3.5369
参考库存:15444
SI7820DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.0684
10:¥9.9892
3,000:¥9.9892
参考库存:35426
IRLS3034TRLPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥16.2946
250:¥15.5262
500:¥13.9103
800:¥13.9103
参考库存:5178
IGB15N60TATMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.8422
参考库存:12335

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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