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晶体管
TSM2537CQ RFG参考图片

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TSM2537CQ RFG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET Complementary N-Ch, 20V, 11.6A
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库存:63,654(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3787
33.787
100
¥2.5312
253.12
500
¥1.8645
932.25
3,000
¥1.2769
3830.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDFN22-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
11.6 A, 9 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms, 48 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV, 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
9.1 nC, 9.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.25 W, 6.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
N- and P-Channel Power MOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
28 S, 15 S
下降时间
30 ns, 68 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
41 ns, 34 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns, 69 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 10 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
1:¥10.5994
10:¥8.9948
100:¥6.9608
500:¥6.1585
2,500:¥4.3053
10,000:查看
参考库存:104014
晶体管
达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.58421
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.31527
参考库存:173751
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥8.5315
10:¥7.5484
100:¥5.9664
500:¥4.6217
1,000:¥3.6499
3,000:¥3.3109
参考库存:10938
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicn AF/SWITCH TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
10,000:¥0.49946
20,000:查看
参考库存:15800
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥128.2437
10:¥116.4917
25:¥107.802
50:¥101.9712
参考库存:2712
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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