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晶体管
HN1A01F-GR(TE85L,F参考图片

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HN1A01F-GR(TE85L,F

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
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库存:34,513(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.6724
16.724
100
¥0.71416
71.416
1,000
¥0.5537
553.7
3,000
¥0.41471
1244.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SM-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.1 V
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
HN1A01
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Curr SW
1:¥20.5886
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
参考库存:8431
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥8.6106
10:¥7.3224
100:¥5.6274
500:¥4.972
1,000:¥3.9211
2,500:¥3.9211
参考库存:8563
晶体管
MOSFET NCH 1.7A 30V SOT-363
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.96841
参考库存:36635
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:3042
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS HV XSTR NPN 160V
1:¥1.3786
10:¥1.2317
100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.22261
参考库存:594964
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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