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晶体管
SIR846ADP-T1-GE3参考图片

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SIR846ADP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥17.4472
17.4472
10
¥14.5205
145.205
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.831
4915.5
1,000
¥9.379
9379
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
63 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SIR846ADP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMBT4401
Rectron
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN,0.6A,40V GenPur
9,000:¥0.3842
参考库存:51471
CGH35240F
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt
暂无价格
参考库存:51476
JANTX2N2904AL
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥117.8703
250:¥107.4969
500:¥100.5022
1,000:¥92.208
参考库存:51481
CMBT3906
Rectron
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP,0.2A,40V GenPur
9,000:¥0.36838
参考库存:51486
2N2812
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥730.9066
参考库存:51491

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