VNB20N07-E原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-263-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	20 A
Rds On-漏源导通电阻	50 mOhms
Qg-栅极电荷	60 nC
Pd-功率耗散	83 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Tube
系列	VNB20N07
晶体管类型	1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET
类型	Low Side
商标	STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值	17 S
下降时间	150 ns, 3.5 us
湿度敏感性	Yes
产品类型	MOSFET
上升时间	240 ns, 1.5 us
工厂包装数量	800
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	430 ns, 6 us
典型接通延迟时间	90 ns, 800 ns
单位重量	4 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
KSD1691YSTU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial	1:¥4.2262 10:¥3.4691 100:¥2.1244 1,000:¥1.6385	参考库存:18017
2SC6097-TL-E	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING	1:¥4.5313 10:¥3.8307 100:¥2.4634 700:¥1.9775 2,100:¥1.6611	参考库存:15579
MJF32CG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 30W PNP	1:¥7.1416 10:¥6.0794 100:¥4.6669 500:¥4.1245	参考库存:5851
CPC3701CTR	IXYS Integrated Circuits	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N Channel FET 250V, 360mA	1:¥6.3054 10:¥5.4918 25:¥4.859 50:¥4.7008 1,000:¥2.2148	参考库存:1493
IMT1AT110	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 50V 150MA SOT-457	1:¥2.9154 10:¥2.0566 100:¥0.94468 1,000:¥0.72207 3,000:¥0.61472	参考库存:45125