RN1506(TE85L,F)原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SMV-5
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1506
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTC143EET1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN	1:¥0.84524 10:¥0.73789 100:¥0.26103 1,000:¥0.17628 3,000:¥0.13786	参考库存:404286
FGB7N60UNDF	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V 7A NPT IGBT	1:¥16.5997 10:¥14.0572 100:¥11.30 500:¥9.831 800:¥8.1473	参考库存:7078
NTK3139PT5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4	1:¥3.4578 10:¥2.2374 100:¥0.9605 1,000:¥0.73789 8,000:¥0.49946 24,000:查看	参考库存:67685
SI5459DU-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK ChipFET	1:¥4.6895 10:¥3.8081 100:¥2.8928 500:¥2.3843 3,000:¥2.3843	参考库存:24427
BUV22G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40A 250V 250W NPN	1:¥90.7503 10:¥83.4505 20:¥79.9927 100:¥70.4668	参考库存:3879