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晶体管
IPP042N03LGXKSA1参考图片

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IPP042N03LGXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:8,966(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6049
76.049
100
¥5.8421
584.21
500
¥5.1641
2582.05
1,000
¥4.068
4068
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
44 S
下降时间
4.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.6 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns
零件号别名
G IPP042N03L IPP42N3LGXK SP000680792
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor Low Saturation
1:¥3.1527
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:15191
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -60V 150mW
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:154213
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1600V 240A
1:¥1,046.3348
5:¥1,025.814
10:¥977.9472
25:¥957.4264
参考库存:1620
晶体管
MOSFET N-Ch 240V 50mA SOT-223-3
1:¥7.1416
10:¥6.1133
100:¥4.7008
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
参考库存:3112
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥8.6784
10:¥7.1529
100:¥5.4918
500:¥4.7234
1,000:¥3.729
参考库存:29504
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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