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晶体管
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IHW25N120R2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A
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库存：6,032(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.0356
34.0356
10
¥28.9732
289.732
100
¥25.0521
2505.21
250
¥23.8204
5955.1
500
¥21.357
10678.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
365 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW25N120R2FKSA1 IHW25N12R2XK SP000212016
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ECH8695R-TL-W
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:77680
FQU13N10LTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
参考库存:28867
IRLD024PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥8.2942
10:¥6.7913
100:¥5.2093
500:¥4.4748
参考库存:29994
PCP1208-TD-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.7A 200V
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
参考库存:46841
BUK7210-55B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 83A 3-Pin(2+Tab)
1:¥7.91
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
2,500:¥3.1866
10,000:查看
参考库存:19558

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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