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晶体管

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FP30R06KE3

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库存:32,165(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥506.6016
506.6016
5
¥497.313
2486.565
10
¥484.3971
4843.971
25
¥474.8712
11871.78
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
37 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP30R06KE3BOSA1 SP000091921
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:24961
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K4.7K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:24966
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.7741
1,000:¥1.3673
参考库存:11681
晶体管
MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
1:¥5.4579
10:¥4.7686
100:¥3.6838
500:¥2.7233
2,500:¥1.921
5,000:查看
参考库存:26748
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2772
500:¥6.4297
3,000:¥4.4974
9,000:查看
参考库存:24975
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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