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晶体管
SIS892DN-T1-GE3参考图片

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SIS892DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
  • 数据手册下载
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库存:73,160(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.7577
127.577
100
¥10.1474
1014.74
500
¥7.91
3955
1,000
¥6.3732
6373.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
29 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
SIS892DN-GE3
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 0.5A 300V TR
1:¥4.9946
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
2,500:¥1.7967
参考库存:5770
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN RF Oscillator
1:¥6.7574
10:¥5.4805
100:¥4.5652
500:¥3.5256
3,000:¥2.825
9,000:查看
参考库存:37972
晶体管
MOSFET 500V 60Ohm
1:¥10.7576
10:¥10.5994
25:¥8.9157
100:¥8.1473
参考库存:3519
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/NPN high power double bipolar trans
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
1,500:¥1.695
参考库存:13276
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING
1:¥5.1528
10:¥4.2375
100:¥2.7346
1,000:¥2.1922
参考库存:10713
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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