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晶体管
IPB180N03S4L-01参考图片

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IPB180N03S4L-01

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥19.3682
19.3682
10
¥16.4415
164.415
100
¥13.1419
1314.19
500
¥11.526
5763
1,000
¥9.5259
9525.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.05 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
187 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPB180N03S4L01ATMA1 IPB18N3S4L1XT SP000555002
单位重量
1.600 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N3866AUB
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥373.6006
参考库存:59162
JANTXV2N4236
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥401.263
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TP2540N3-G P014
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暂无价格
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JANS2N2221AUBC/TR
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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100:¥1,445.5864
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TGF2023-2-05
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
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参考库存:59182

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