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晶体管

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FS75R12KE3G

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库存:1,701(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥921.0856
921.0856
5
¥902.9491
4514.7455
10
¥860.834
8608.34
25
¥842.7766
21069.415
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
355 W
封装 / 箱体
EconoPACK 3B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12KE3GBOSA1 SP000100418
单位重量
300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥31.5835
10:¥26.8149
100:¥23.2102
250:¥22.0576
1,000:¥16.6788
2,000:查看
参考库存:8335
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.684
10:¥6.5653
100:¥5.0511
500:¥4.4635
1,000:¥3.5143
参考库存:17747
晶体管
MOSFET AFSM T6 60V LL NCH
1:¥39.0302
10:¥33.1994
100:¥28.7359
250:¥27.2782
3,000:¥19.5942
参考库存:17889
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
1:¥2.9945
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
4,000:¥0.82264
参考库存:122316
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
3,000:¥0.16159
参考库存:711443
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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