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晶体管
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2N5786

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Ampl/Switch
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1
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29.1201
10
¥25.9674
259.674
100
¥23.6622
2366.22
250
¥21.357
5339.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
3.5 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N5786
直流电流增益 hFE 最大值
120
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
4 at 1.6 A, 2 V
Pd-功率耗散
10000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5786 TIN/LEAD
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRC3143Y0L
Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
暂无价格
参考库存:47350
DMC566030R
Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:47355
DMT43M8LFV-13
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3,000:¥2.9832
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NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
250:¥1,013.2936
参考库存:47365
SI4670DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
2,500:¥3.6612
5,000:¥3.4804
10,000:¥3.3448
25,000:¥3.2431
参考库存:47370

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