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晶体管
IKW50N60TA参考图片

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IKW50N60TA

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库存:3,262(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.3985
60.3985
10
¥54.5564
545.564
25
¥52.0252
1300.63
100
¥45.1774
4517.74
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N60TAFKSA1 IKW5N6TAXK SP000647366
单位重量
6.500 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 BIP T03 NPN 15A 250V
1:¥51.0195
10:¥46.104
50:¥43.957
100:¥38.194
参考库存:4944
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30A 100V 200W PNP
1:¥50.0251
10:¥45.1774
50:¥43.1095
100:¥37.4256
参考库存:4221
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥5.3788
10:¥4.7008
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
参考库存:11528
晶体管
MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
1:¥74.919
10:¥67.461
25:¥61.472
100:¥55.483
参考库存:4600
晶体管
MOSFET N-Ch 40 Volt 80 Amp
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
2,500:¥6.8704
5,000:查看
参考库存:15657
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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