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晶体管
STL9N60M2参考图片

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STL9N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 HV package
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库存:10,335(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.4415
16.4415
10
¥13.9103
139.103
100
¥11.1418
1114.18
500
¥9.7632
4881.6
1,000
¥8.0682
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-HV-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4.8 A
Rds On-漏源导通电阻
860 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL9N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
单位重量
90 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
1:¥24.2837
10:¥20.5886
100:¥17.8992
250:¥16.9839
参考库存:7627
晶体管
MOSFET NCH 1.2V Power MOSFE
1:¥3.5369
10:¥2.6894
100:¥1.4577
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
9,000:¥0.88366
参考库存:36099
晶体管
MOSFET PTNG 100/20V Nch Trench Mosfet
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
1,000:¥5.1867
3,000:¥4.5991
参考库存:47626
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,906.2422
5:¥1,860.3755
10:¥1,814.1924
25:¥1,788.7561
参考库存:2738
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:28155
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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