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FS15R06VE3_B2

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数量单价合计
1
¥155.2959
155.2959
10
¥142.7642
1427.642
25
¥136.8543
3421.3575
100
¥120.5597
12055.97
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
在25 C的连续集电极电流
22 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
65 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
40
子类别
IGBTs
零件号别名
FS15R06VE3B2BOMA1 SP000100312
单位重量
10 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N2221AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥124.4808
250:¥113.4972
500:¥106.1974
参考库存:53337
RN1110MFV(TPL3)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:53342
JANTXV2N2221AL/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
128:¥113.113
250:¥103.1238
500:¥96.5133
1,000:¥88.5242
参考库存:53347
CGHV40320D-GP4
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
暂无价格
参考库存:53352
RMP6N70TI
Rectron
晶体管
MOSFET TO-220F MOSFET
2,000:¥2.5086
4,000:¥2.2939
10,000:¥2.1018
24,000:¥2.0566
参考库存:53357

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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